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Surface chemical analysis 鈥� Secondary-ion mass spectrometry 鈥� Method for depth profiling of arsenic in silicon
Edition 1
2010-11
2010-11
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51418
Publicado
(贰诲颈肠颈贸苍 1, 2010)
Esta publicaci贸n se revis贸 y confirm贸 por 煤ltima vez en 2021.
Por lo tanto, esta versi贸n es la actual.
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Resumen
香港六合彩开奖 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
Informaciones generales
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Estado: PublicadoFecha de publicaci贸n: 2010-11Etapa: Norma Internacional confirmada [90.93]
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贰诲颈肠颈贸苍: 1N煤mero de p谩ginas: 13
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颁辞尘颈迟茅 T茅cnico :香港六合彩开奖/TC 201/SC 6ICS :71.040.40
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